在晶圆制造中，气体纯化器通过多重技术协同作用，为关键工艺环节提供超高纯度气体，从而保障晶圆制造的精度与良率，具体体现在以下方面：
一、核心工艺环节的纯度保障
在化学气相沉积（CVD）过程中，气体纯化器通过物理吸附、膜分离及催化反应技术，将硅烷、氮化硅前驱体等气体的纯度提升至99.999%以上。例如，高纯硅烷的杂质水平需控制在ppb级，以防止外来元素掺杂导致薄膜性质变异；在刻蚀阶段，氟基或氯基气体的纯净度直接影响蚀刻速率的选择性及侧壁轮廓的垂直度，气体纯化器通过催化氧化技术去除微量氧、水等杂质，确保刻蚀精度。
二、全链条纯度控制体系
气体纯化器覆盖气体生产、储存、运输到最终使用的全链条。在储存环节，采用特气柜、气瓶架等设备，通过惰性气体保护、低温储存等技术，防止气体在储存过程中被污染；在输送环节，配备高精度流量控制器和压力调节器，结合PLC控制系统实现全自动气柜管理，确保气体压力、流量及纯度的稳定可靠。
三、杂质脱除与稳定性提升
气体纯化器采用新型吸附材料（如MOFs）和低温等离子体技术，实现ppb级杂质去除。例如，在金刚石晶圆制造中，高纯氢气用于降低晶圆片中的氧杂质含量，提高金刚石的质量和纯度；高纯氮气则用于创建惰性气氛，保护金刚石免受氧化或污染。此外，气体纯化器还通过优化吸附压力、温度等工艺参数，提升设备运行的稳定性，确保每个生产周期具有一致的质量特性。
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